B82498F1122J000

B82498F1122J000

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82498F1122J000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 220 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 650mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
220 mA
DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max
Abmessungen
0.091" L x 0.067" W (2.30mm x 1.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82498F1122J000.

Induktivität
1.2 µH

B82498F1122J000 hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
220 mA

B82498F1122J000 ist für 220 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max

B82498F1122J000 hat einen DC-Widerstand von 650mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

B82498F1122J000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±5%
Nennstrom220 mA
DC-Widerstand (DCR)650mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.091" L x 0.067" W (2.30mm x 1.70mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 220MA 650 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz420MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)

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