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CTMMP1307AF-6R8M

CTMMP1307AF-6R8M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP1307AF-6R8M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 2.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 260mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
2.2 A
DC-Widerstand (DCR)
260mOhm
Abmessungen
0.138 L x 0.126 W (3.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP1307AF-6R8M.

Induktivität
6.8 µH

CTMMP1307AF-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.2 A

CTMMP1307AF-6R8M ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
260mOhm

CTMMP1307AF-6R8M hat einen DC-Widerstand von 260mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.2 A
DC-Widerstand (DCR)260mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.138 L x 0.126 W (3.50mm x 3.20mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 2.2A 260 MOHM
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.071 (1.80mm)

Vorschau