LogoMagdir
CT914BYF-6R8M

CT914BYF-6R8M

Central Technologies

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT914BYF-6R8M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 105mOhm. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
DC-Widerstand (DCR)
105mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT914BYF-6R8M.

Induktivität
6.8 µH

CT914BYF-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
105mOhm

CT914BYF-6R8M hat einen DC-Widerstand von 105mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von CT914BYF-6R8M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
DC-Widerstand (DCR)105mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 105 MOHM SMD
Seriect914byf
ProduktstatusObsolete
MontageartSurface Mount