Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP2712F-8R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 6 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 68mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP2712F-8R2M.
CTMMP2712F-8R2M hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTMMP2712F-8R2M ist für 6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTMMP2712F-8R2M hat einen DC-Widerstand von 68mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von CTMMP2712F-8R2M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 6 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 68mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 6A 68 MOHM SMD |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.118 (3.00mm) |
