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CTMMP4016F-8R2M

CTMMP4016F-8R2M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP4016F-8R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 10 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 31mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
10 A
DC-Widerstand (DCR)
31mOhm
Abmessungen
0.453 L x 0.402 W (11.50mm x 10.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP4016F-8R2M.

Induktivität
8.2 µH

CTMMP4016F-8R2M hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
10 A

CTMMP4016F-8R2M ist für 10 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
31mOhm

CTMMP4016F-8R2M hat einen DC-Widerstand von 31mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom10 A
DC-Widerstand (DCR)31mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.453 L x 0.402 W (11.50mm x 10.20mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 10A 31 MOHM SMD
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.157 (4.00mm)

Vorschau