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CT1008LDLSF-6R8J

CT1008LDLSF-6R8J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008LDLSF-6R8J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 700 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 315mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
700 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
315mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008LDLSF-6R8J.

Induktivität
6.8 µH

CT1008LDLSF-6R8J hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA Max

CT1008LDLSF-6R8J ist für 700 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
315mOhm

CT1008LDLSF-6R8J hat einen DC-Widerstand von 315mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±5%
Nennstrom700 mA Max
DC-Widerstand (DCR)315mOhm
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 315 MOHM SMD
Seriect1008ldlsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz28MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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