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TMPA1265HTV-6R8MN-D

TMPA1265HTV-6R8MN-D

TAI-TECH

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMPA1265HTV-6R8MN-D von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 13 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 12 mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
13 A
DC-Widerstand (DCR)
12 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMPA1265HTV-6R8MN-D.

Induktivität
6.8 µH

TMPA1265HTV-6R8MN-D hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
13 A

TMPA1265HTV-6R8MN-D ist für 13 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
12 mOhm Max

TMPA1265HTV-6R8MN-D hat einen DC-Widerstand von 12 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom13 A
DC-Widerstand (DCR)12 mOhm Max
Sättigungsstrom15 A Max
LieferantTAI-TECH
BeschreibungIND 6.8UH 12MOHM 13A
ProduktstatusActive
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau