Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT636CYF-6R8M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 1.76 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 55mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT636CYF-6R8M.
CT636CYF-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT636CYF-6R8M ist für 1.76 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT636CYF-6R8M hat einen DC-Widerstand von 55mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.76 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 55mOhm |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 55 MOHM SMD |
| Serie | ct636cyf |
| Produktstatus | Active |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
