Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT646CYF-6R8M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 1.94 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 47mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT646CYF-6R8M.
CT646CYF-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT646CYF-6R8M ist für 1.94 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT646CYF-6R8M hat einen DC-Widerstand von 47mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von CT646CYF-6R8M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.94 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 47mOhm |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 47 MOHM SMD |
| Serie | ct646cyf |
| Produktstatus | Active |
| Montageart | Surface Mount |
