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CTC0F-6R8J

CTC0F-6R8J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC0F-6R8J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 175 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
175 mA
DC-Widerstand (DCR)
2Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC0F-6R8J.

Induktivität
6.8 µH

CTC0F-6R8J hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
175 mA

CTC0F-6R8J ist für 175 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2Ohm

CTC0F-6R8J hat einen DC-Widerstand von 2Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±5%
Nennstrom175 mA
DC-Widerstand (DCR)2Ohm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 2 OHM TH
Seriectc0f
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz55 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz28MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartThrough Hole

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