Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTC0F-8R2J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 165 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.2Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTC0F-8R2J.
CTC0F-8R2J hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTC0F-8R2J ist für 165 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTC0F-8R2J hat einen DC-Widerstand von 2.2Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 165 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.2Ohm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 2.2 OHM TH |
| Serie | ctc0f |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 55 Min @ 7.96 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 26MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Through Hole |
