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B82422A1822K108

B82422A1822K108

TDK

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A1822K108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 130 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
130 mA
DC-Widerstand (DCR)
3 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A1822K108.

Induktivität
8.2 µH

B82422A1822K108 hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
130 mA

B82422A1822K108 ist für 130 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3 Ohm Max

B82422A1822K108 hat einen DC-Widerstand von 3 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom130 mA
DC-Widerstand (DCR)3 Ohm Max
LieferantTDK
BeschreibungSMT-INDUCTOR DE 8,2 UH 10%
Serie*
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz27 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz90 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz

Vorschau