Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FCI3216F-100M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10.0 µH, Nennstrom 25 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.00 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FCI3216F-100M.
FCI3216F-100M hat eine Induktivität von 10.0 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FCI3216F-100M ist für 25 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
FCI3216F-100M hat einen DC-Widerstand von 1.00 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 10.0 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 25 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.00 Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C (including self-temperature rise) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | IND 10UH 1OHM 25MA |
| Serie | FCI |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 50 Min @ 2 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 24 MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 1.3 mm |
