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HCM1105-6R8-R

Eaton - Electronics Division

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HCM1105-6R8-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 9.5 A (Irms), Gleichstromwiderstand (DCR) 24 mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
9.5 A (Irms)
DC-Widerstand (DCR)
24 mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCM1105-6R8-R.

Induktivität
6.8 µH

HCM1105-6R8-R hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
9.5 A (Irms)

HCM1105-6R8-R ist für 9.5 A (Irms) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
24 mOhm

HCM1105-6R8-R hat einen DC-Widerstand von 24 mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität6.8 µH
Nennstrom9.5 A (Irms)
DC-Widerstand (DCR)24 mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 6.8UH SURFACE MOUNT
ProduktstatusActive
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.199" (5.05mm)

Vorschau

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