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HPC 3010TF-2R2M

HPC 3010TF-2R2M

TAI-TECH

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 2.1A 90 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
2.1 A
DC-Widerstand (DCR)
90mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPC 3010TF-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

HPC 3010TF-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.1 A

HPC 3010TF-2R2M ist für 2.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
90mOhm

HPC 3010TF-2R2M hat einen DC-Widerstand von 90mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

HPC 3010TF-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.1 A
DC-Widerstand (DCR)90mOhm
Sättigungsstrom1.6A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 2.1A 90 MOHM SMD
SerieHPC3010TF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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