Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil KLZ2012AHR2R2WTD25 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 195mOhm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für KLZ2012AHR2R2WTD25.
KLZ2012AHR2R2WTD25 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
KLZ2012AHR2R2WTD25 ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
KLZ2012AHR2R2WTD25 hat einen DC-Widerstand von 195mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
KLZ2012AHR2R2WTD25 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 650 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 195mOhm |
| Sättigungsstrom | 210mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 650MA 195 MOHM |
| Serie | KLZ-HR |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2012 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.05mm) |
| Merkmale | Soft Termination |
