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MLG0603S1N3BT000

MLG0603S1N3BT000

TDK

0201 (0603 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.3NH 550MA 150 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.3 nH
Nennstrom
550 mA
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max
Abmessungen
0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLG0603S1N3BT000.

Induktivität
1.3 nH

MLG0603S1N3BT000 hat eine Induktivität von 1.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
550 mA

MLG0603S1N3BT000 ist für 550 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max

MLG0603S1N3BT000 hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

MLG0603S1N3BT000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität1.3 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom550 mA
DC-Widerstand (DCR)150mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 1.3NH 550MA 150 MOHM
SerieMLG
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic, Non-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz4 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz9GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201 (0603 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.013" (0.33mm)
Merkmale-

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