Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLP2016V2R2MT0S1 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 212.5mOhm Max, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLP2016V2R2MT0S1.
MLP2016V2R2MT0S1 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLP2016V2R2MT0S1 ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLP2016V2R2MT0S1 hat einen DC-Widerstand von 212.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLP2016V2R2MT0S1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 212.5mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 1A 212.5 MOHM |
| Serie | MLP |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 (2016 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
