MLZ2012DR22MT000
TDK
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLZ2012DR22MT000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220 nH, Nennstrom 900 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 130mOhm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLZ2012DR22MT000.
MLZ2012DR22MT000 hat eine Induktivität von 220 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLZ2012DR22MT000 ist für 900 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLZ2012DR22MT000 hat einen DC-Widerstand von 130mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLZ2012DR22MT000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 220 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 900 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 130mOhm |
| Sättigungsstrom | 800mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 220NH 900MA 130 MOHM |
| Serie | MLZ |
| Produktstatus | Not For New Designs |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2012 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.05mm) |
