Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0805HWR56JST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.56 µH, Nennstrom 1.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 140mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2015 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0805HWR56JST.
MTF0805HWR56JST hat eine Induktivität von 0.56 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0805HWR56JST ist für 1.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0805HWR56JST hat einen DC-Widerstand von 140mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0805HWR56JST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2015 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.56 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 1.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 140mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.5A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.087 L x 0.067 W (2.20mm x 1.70mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2015 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2015 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 560 NH 1500 MA 0.14 OH |
| Serie | MTF0805HW |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 250MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.051 (1.30mm) |
