Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SM3-221K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 509 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SM3-221K.
SM3-221K hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SM3-221K ist für 509 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SM3-221K hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SM3-221K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 509 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 800mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 509MA 800 MOHM |
| Serie | SM3 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 60MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 4 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.102" (2.60mm) |
