Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMIM322512HL-1R0MB von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 5.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 30mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMIM322512HL-1R0MB.
TMIM322512HL-1R0MB hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TMIM322512HL-1R0MB ist für 5.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TMIM322512HL-1R0MB hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TMIM322512HL-1R0MB verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 5.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 30mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 5.8A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 5.2A 30 MOHM SMD |
| Serie | TMIM322512HL-B |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
