Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMPA1265HTV-3R3MN-D von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 20 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 5.6 mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMPA1265HTV-3R3MN-D.
TMPA1265HTV-3R3MN-D hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TMPA1265HTV-3R3MN-D ist für 20 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TMPA1265HTV-3R3MN-D hat einen DC-Widerstand von 5.6 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 20 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 5.6 mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 21 A Max |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | IND 3.3UH 5.6MOHM 20A |
| Produktstatus | Active |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
