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VLS201610HBX-3R3M-1

VLS201610HBX-3R3M-1

TDK

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 1.2A 252 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
252mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLS201610HBX-3R3M-1.

Induktivität
3.3 µH

VLS201610HBX-3R3M-1 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

VLS201610HBX-3R3M-1 ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
252mOhm Max

VLS201610HBX-3R3M-1 hat einen DC-Widerstand von 252mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

VLS201610HBX-3R3M-1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)252mOhm Max
Sättigungsstrom1.02A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 1.2A 252 MOHM
SerieVLS-HBX-1
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806 (2016 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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