Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil WNL322522RF-1R0M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 750 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für WNL322522RF-1R0M.
WNL322522RF-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
WNL322522RF-1R0M ist für 750 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
WNL322522RF-1R0M hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
WNL322522RF-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 750 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 750MA 60 MOHM SMD |
| Serie | WNL322522RF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.094" (2.40mm) |
