Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422H1103K008 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.48 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422H1103K008.
B82422H1103K008 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82422H1103K008 ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82422H1103K008 hat einen DC-Widerstand von 0.48 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 500 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.48 Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 560 mA Min |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | SMT-INDUCTOR DE-H 10 UH 10 |
| Serie | * |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 12 Min @ 2.52 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 30 MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
