Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IHB2EB100K von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 10 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 9mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHB2EB100K.
IHB2EB100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IHB2EB100K ist für 10 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IHB2EB100K hat einen DC-Widerstand von 9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IHB2EB100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 10 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 9mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.825" Dia (20.96mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 10A 9 MOHM TH |
| Serie | IHB |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
