MLZ2012DR10MT000
TDK
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLZ2012DR10MT000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 1.15 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 70mOhm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLZ2012DR10MT000.
MLZ2012DR10MT000 hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLZ2012DR10MT000 ist für 1.15 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLZ2012DR10MT000 hat einen DC-Widerstand von 70mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLZ2012DR10MT000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.15 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 70mOhm |
| Sättigungsstrom | 1A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 100NH 1.15A 70 MOHM |
| Serie | MLZ |
| Produktstatus | Not For New Designs |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2012 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.05mm) |
