Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLZ2012M1R0HT000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLZ2012M1R0HT000.
MLZ2012M1R0HT000 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLZ2012M1R0HT000 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLZ2012M1R0HT000 hat einen DC-Widerstand von 100mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLZ2012M1R0HT000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mOhm |
| Sättigungsstrom | 700mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 800MA 100 MOHM SMD |
| Serie | MLZ |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 150MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2012 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
