Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil NLCV32T-1R0M-EF von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 78mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NLCV32T-1R0M-EF.
NLCV32T-1R0M-EF hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
NLCV32T-1R0M-EF ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
NLCV32T-1R0M-EF hat einen DC-Widerstand von 78mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
NLCV32T-1R0M-EF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 78mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 1A 78 MOHM SMD |
| Serie | NLCV-EF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 10 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 100MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.094" (2.40mm) |
