Beschreibung
FIXED IND 1UH 2.55A 65 MOHM SMD
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLS252010HBX-1R0M-1.
VLS252010HBX-1R0M-1 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
VLS252010HBX-1R0M-1 ist für 2.55 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
VLS252010HBX-1R0M-1 hat einen DC-Widerstand von 65mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
VLS252010HBX-1R0M-1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.55 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 65mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3.22A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 2.55A 65 MOHM SMD |
| Serie | VLS-HBX-1 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | - |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 (2520 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
| Merkmale | - |
